等离子体处理装置

Plasma treating apparatus

Abstract

本发明的等离子体处理装置具有向处理室12内放射等离子体的电介质板5和支承该电介质板5的电介质支承部件6A~6D。在电介质支承部件6A~6D上设置向处理室内部12供给反应气体的多个气体导入孔6a。该气体导入孔6a的吹出口朝着基板8的表面开口,且被配置在电介质板5的外周区域上。容器盖1及电介质板支承部件6A~6D施加接地电位,基板8上施加偏电位。从而,可以得到使用均匀的等离子体均匀地处理大面积基板,且成本低的等离子体处理装置。

Claims

Description

Topics

Download Full PDF Version (Non-Commercial Use)

Patent Citations (0)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle

NO-Patent Citations (0)

    Title

Cited By (2)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
    CN-100536634-CSeptember 02, 2009东京毅力科创株式会社Plasma processing device and method
    CN-100593361-CMarch 03, 2010东京毅力科创株式会社;国立大学法人东北大学等离子体处理装置和方法